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| GaN基微缩化发光二极管尺寸效应和阵列显示 | |
| 作者姓名： | 邰建鹏 郭伟玲 李梦梅 邓杰 陈佳昕 |
| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2017YFB0403100,2017YFB0403102)资助的课题~~； |
| 摘 要： | 设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗MicroLED尺寸为40—100μm,其电极结构为共N极, P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,刻蚀N型GaN外延片至衬底,形成隔离槽.通过优化电极结构和厚度,提高了P电极在隔离槽爬坡处的可靠性;使用现场可编程门阵列(field-programmable gate array, FPGA)对Micro-LED被动阵列进行了驱动显示.对于不同尺寸的单颗Micro-LED进行了电学、光学、热学等方面的测试分析.结果表明:随着尺寸的减小, Micro-LED所能承受的电流密度越大; Micro-LED与普通蓝光LED相比具有较大的k系数,并且随着尺寸的减小, k系数的数值增大,热稳定性不如传统蓝光LED.FPGA可以实现对Micro-LED被动阵列的良好驱动. |
| 关 键 词： | 微缩化发光二极管 尺寸效应 k系数 被动驱动 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |