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利用P-MBE制备高质量MgxZn1-xO的结构和光学特性
引用本文:宿世臣,吕有明,张振中,李炳辉,姚斌,申德振,范希武. 利用P-MBE制备高质量MgxZn1-xO的结构和光学特性[J]. 发光学报, 2008, 29(2): 309-312
作者姓名:宿世臣  吕有明  张振中  李炳辉  姚斌  申德振  范希武
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
基金项目:国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随着Mg组份的增加,MgxZn1-xO的X射线衍射的(002)衍射峰逐渐向大角度方向移动。对样品进行光致发光(PL)谱的测量,在室温下观察到了较强的紫外发光。随Mg浓度的增加,紫外发光峰向高能侧移动,并且发光峰逐渐展宽。通过对x=0.15的样品进行变温光谱的测量研究了紫外发光峰起因,得到了MgxZn1-xO的发光是来自于自由激子的发光。自由激子束缚能为54meV。

关 键 词:氧化锌镁  等离子体辅助分子束外延  光致发光
文章编号:1000-7032(2008)02-0309-04
修稿时间:2007-09-17

Structural and Optical Properties of High Quality MgxZn1-xO Films Grown by P-MBE
SU Shi-chen,LU You-ming,ZHANG Zhen-zhong,LI Bing-hui,YAO Bin,SHEN De-zhen,FAN Xi-wu. Structural and Optical Properties of High Quality MgxZn1-xO Films Grown by P-MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008, 29(2): 309-312
Authors:SU Shi-chen  LU You-ming  ZHANG Zhen-zhong  LI Bing-hui  YAO Bin  SHEN De-zhen  FAN Xi-wu
Abstract:
Keywords:MgxZn1-xO  P-MBE  photoluminescence
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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