| 氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究 |
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| 引用本文： | 张幸福,魏爱香,侯通贤. 氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 684-688 |
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| 作者姓名： | 张幸福 魏爱香 侯通贤 |
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| 作者单位： | 广东工业大学材料与能源学院,广州,510006 |
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| 基金项目： | 广东工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.
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| 关 键 词： | 氧化钽薄膜 磁控反应溅射 介电性能, |
Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film |
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| ZHANG Xing-fu,WEI Ai-xiang,HOU Tong-xian. Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 684-688 |
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| Authors: | ZHANG Xing-fu WEI Ai-xiang HOU Tong-xian |
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