| CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较 |
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| 引用本文： | 何宝平,陈伟,王桂珍. CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较[J]. 物理学报, 2006, 55(7) |
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| 作者姓名： | 何宝平 陈伟 王桂珍 |
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| 摘 要： | 利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.
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| 关 键 词： | γ射线 电子 质子 辐射损伤 |
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from 60Co Gamma rays, electrons and protons |
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| He Bao-Ping,Chen Wei,Wang Gui-Zhen. A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from 60Co Gamma rays, electrons and protons[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(7) |
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| Authors: | He Bao-Ping Chen Wei Wang Gui-Zhen |
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