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Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能
引用本文:刘涛,赵小如,金宁. Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(3): 740-745
作者姓名:刘涛  赵小如  金宁
作者单位:商洛学院电子信息与电气工程学院,商洛,726000;西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金(51172186,51302218)
摘    要:
采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜(ZASO薄膜).利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响.结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at;时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9;.

关 键 词:溶胶凝胶法  Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO)  掺杂浓度  预烧温度,

Synthesis and Photoelectric Properties of Sn-Al Co-doped ZnO Films
LIU Tao,ZHAO Xiao-ru,JIN Ning. Synthesis and Photoelectric Properties of Sn-Al Co-doped ZnO Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(3): 740-745
Authors:LIU Tao  ZHAO Xiao-ru  JIN Ning
Abstract:
Keywords:
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