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| CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究 | |
| 作者姓名： | 严非男 王希恩 陈俊 |
| 作者单位： | 上海理工大学理学院,上海,200093 |
| 基金项目： | 沪江基金研究基地专项资助(B14004) |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO4∶W6+晶体的电子结构.计算结果显示,在CdMoO4∶W6+晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25ev)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO4晶体在500～ 600 nm区间的发射带的起源. |
| 关 键 词： | CdMoO4∶W6+晶体 DV-Xα 发射带, |
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