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| 集成电路中的物理问题讲座 第三讲 金属硅化物的形成 | |
| 引用本文： | 武蕴忠. 集成电路中的物理问题讲座 第三讲 金属硅化物的形成[J]. 物理, 1985, 14(6). |
| 作者姓名： | 武蕴忠 |
| 作者单位： | 1.中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景,近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域．理论方面,硅化物的能带结构和硅化物－硅界面研究有着重要意义．高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要．金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性,它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注．图１是半导体电路金属化系统两种典型结构．其中图１（ａ）是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的ＦＥＴ结?... |
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