| 高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）：—添加增塑剂方法的应用 |
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| 引用本文： | 戴卫平 苏骁 等. 高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）：—添加增塑剂方法的应用[J]. 高压物理学报, 2001, 15(3): 161-168 |
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| 作者姓名： | 戴卫平 苏骁 等 |
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| 作者单位： | 苏日方（石油大学北京基础科学系北京 102200）;戴卫平（石油大学北京基础科学系北京 102200）;苏骁（石油大学北京基础科学系北京 102200） |
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| 基金项目： | Foundation for Fundamental Research of the University of Petroleum (Beijing) under Grant No.99-Ⅰ-02 |
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| 摘 要： | 选用分子量在500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2（n＝4，8，12，16，24）薄膜，并在0．1－2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（CHH6O3）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响，及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P（EO）n-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后，当其相对浓度npc/ntotal=20%时，不仅使该膜的室坟离子电导率明显提高6．8倍，而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0．1－100MPa)，至2（350－800MPa)个数量极，非常有利于在高压环境中应用。
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| 关 键 词： | 聚乙烯氧化物薄膜 静水压 离子电导率 介电常数 增塑剂 混溶蒸发法 |
| 文章编号： | 1000-5773(2001)03-0161-08 |
| 修稿时间： | 2000-04-10 |
Application of Method to AddPlasticizer |
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