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STM针尖和外电场在Si（111）—7＊7表面单原子操纵中的作用

作者姓名：	李群祥杨金龙

摘要：	利用第一性原理的离散变分局域密度泛函方法，采用团簇模型（Ｓｉ３４Ｈ３６－Ｗ１１）来模拟ＳＴＭ操纵（Ｓｉ１１１）－７＊７表面顶角吸附原子的过程，通过分析在进行原子操纵过程中体系的能量与电子云密度分布来研究针尖和外电场的作用。
关键词：	针尖 STM 计算模型硅单原子操纵
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