| 碘化汞(α-HgI2)晶体生长及其性能表征 |
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| 引用本文： | XU Gang,介万奇,WANG Ling-hang. 碘化汞(α-HgI2)晶体生长及其性能表征[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(4): 795-799 |
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| 作者姓名： | XU Gang 介万奇 WANG Ling-hang |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 摘 要： | 利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变.晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面.利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征.XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001].紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45;.由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰.所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω·cm,满足制作核辐射探测器的要求.
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| 关 键 词： | 碘化汞晶体 形貌转变 XRD 近红外透过率 I-V特性, |
Single-crystal Growth of HgI2 and Its-Characterizations |
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| XU Gang,JIE Wan-qi,WANG Ling-hang. Single-crystal Growth of HgI2 and Its-Characterizations[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(4): 795-799 |
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| Authors: | XU Gang JIE Wan-qi WANG Ling-hang |
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