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| 电子横向运动对共振隧穿的影响 | |
| 作者姓名： | 宫箭 班士良 |
| 作者单位： | 1.内蒙古大学物理系,内蒙古 呼和浩特,010021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育部高等学校骨干教师资助计划项目,教育部留学回国人员基金,内蒙古自治区“3 2 1”人才工程基金 |
| 摘 要： | 讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。 |
| 关 键 词： | 共振隧穿 耦合效应 透射系数 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)01-0033-04 |
| 收稿时间： | 2000-08-11 |
| 修稿时间： | 2001-08-11 |
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