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| 4英寸氧化镓单晶生长与性能 | |
| 作者姓名： | 穆文祥 贾志泰 陶绪堂 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,晶体材料研究院,济南 250100 |
| 基金项目： | 广东省重点领域研发计划(2020B010174002);国家自然科学基金(51932004,52002219) |
| 摘 要： | 本文使用导模法(EFG)制备了4英寸氧化镓(β-Ga2O3)单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄(Laue)衍射斑点清晰一致,符合β-Ga2O3衍射特征。晶体(400)面摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×104 cm-2。晶体在紫外截止边为262.1 nm,对应光学带隙为4.67 eV。通过C-V测试分析获得非故意掺杂晶体中的电子浓度为7.77×1016 cm-3。 |
| 关 键 词： | 氧化镓 宽禁带半导体 缺陷 晶体生长 导模法 单晶 |
| 收稿时间： | 2022-08-27 |
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