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| 51V GaN基高压LED的热分析 | |
| 引用本文： | 俞鑫,郭伟玲,樊星,白俊雪,程顺波,韩禹. 51V GaN基高压LED的热分析[J]. 发光学报, 2014, 35(2): 213 |
| 作者姓名： | 俞鑫 郭伟玲 樊星 白俊雪 程顺波 韩禹 |
| 作者单位： | 俞鑫:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 郭伟玲:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 樊星:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 白俊雪:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 程顺波:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 韩禹:北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京100124 |
| 基金项目： | 国家科技支撑计划 (2011BAE01B14)； 国家自然科学基金(61107026)； 北京市教委基金(KM201210005004)资助项目 |
| 摘 要： | 设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W。同时,51 V高压LED的热阻比1 W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关。 |
| 关 键 词： | 高压LED 热分析 ANSYS 热阻 深沟槽 |
| 收稿时间： | 2013-10-09 |
Thermal Analysis of 51 V GaN-based High Voltage LED |
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| Abstract: | |
| Keywords: | high voltage LED thermal analysis ANSYS thermal resistance deep groove structure |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |