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| 利用p-n~+结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法 | |
| 摘 要： | 提出了一种利用p-n~+结反向I-V特性随偏压变化的关系计算p-Ga N载流子浓度的方法.研究发现,当p-n~+中的p-Ga N层没有完全耗尽时,反向电流比较小,属于正常的p-n结电流特性,当反向偏压增加到一定值时,p-Ga N层就完全耗尽,p-n~+结特性就变成了肖特基结特性,反向电流显著增加.找到达到稳定反向电流的临界电压值,就可以计算出p-Ga N的载流子浓度.模拟结果验证了这个思想,计算得到的p-Ga N载流子浓度与设定值基本一致. |
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