| AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构 |
| |
| 引用本文： | 肖细凤,康俊勇. AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构[J]. 物理学报, 2002, 51(1): 138-142 |
| |
| 作者姓名： | 肖细凤 康俊勇 |
| |
| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005 |
| |
| 基金项目： | 国家"863"计划(批准号: 715-010-0022)、国家自然科学基金(批准号: 69976023)、福建省自然科学基金(批准号: A0020001)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用定电容电压法,测量了n型Al0.26Ga0.74As:Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱（LDS）。通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的Al/Ga原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因。
|
| 关 键 词： | Laplace缺陷谱 俘获势垒 DX中心 AlGaAs：Sn 精细结构 深能级缺陷 锡 铝镓砷化合物 半导体 载流子 |
| 修稿时间： | 2001-01-12 |
Fine structures of electron capture barriers of the DX centers in Sn-doped AIgAas |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
