| 溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 |
| |
| 作者姓名： | 王华 燕红 许积文 江民红 杨玲 |
| |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室,桂林,541004;郑州铁路职业技术学院公共教学部,郑州,450052 |
| |
| 基金项目： | 广西信息材料重点实验室主任基金(0710908-05-Z); 广西科技基础条件平台建设专项(10-046-13) |
| |
| 摘 要： | 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响；薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低；不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85;以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响；室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降.
|
| 关 键 词： | Mg0.2Zn0.8O∶Al 紫外透明导电薄膜 磁控溅射 溅射压强 退火气氛 光电性能, |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
