| 光学薄膜激光诱导损伤机理研究 |
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| 作者姓名： | 黄才华 薛亦渝 夏志林 赵元安 杨芳芳 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,汽车工程学院,武汉,430070;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,Wuhan University of Technology Foundation |
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| 摘 要： | 基于电子密度演化模型,借助数值方法,研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程,讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响,分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用.研究结果表明,对应于一定的脉宽,存在一个临界初始电子密度,当Ni低于这一临界密度时,Fth不受Ni影响;当Ni高于临界密度时,Fth随Ni增加而降低.临界初始电子密度随着脉宽的减小而增加。对于FS和BBS介质薄膜,Fth随脉宽的增加而升高。初始电子密度Ni对BBS中的MPI和AI基本没有影响;同样Ni对FS中的AI基本不产生影响,但当Ni>1011cm－3时,FS中MPI电子密度随Ni增加而降低.在所研究的脉宽范围τ∈［0.01,5］ps,AI是FS介质激光诱导损伤的主要机制.而对于BBS,当脉宽τ∈［0.03,5］ps,AI是激光诱导损伤的主要机制;当脉宽τ∈［0.01,0.03］ps,MPI在激光诱导损伤中占主导地位.
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| 关 键 词： | 激光物理 激光诱导损伤 飞秒激光脉冲 多光子离化 雪崩离化 初始电子密度 |
| 收稿时间： | 2008-05-26 |
| 修稿时间： | 2008-08-07 |
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