| 基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究 |
| |
| 引用本文： | 贾田颖,詹润泽,董承远. 基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究[J]. 发光学报, 2013, 34(9): 1240-1244 |
| |
| 作者姓名： | 贾田颖 詹润泽 董承远 |
| |
| 作者单位： | 上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系,上海,200240 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
| |
| 摘 要： | 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程。在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果。最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果。
|
| 关 键 词： | 非晶铟镓锌氧化物 AMOLED 薄膜晶体管 像素电路 |
Simulation of The Stability of a-IGZO TFT-OLED Pixel Circuits |
| |
| JIA Tian-ying , ZHAN Run-ze , DONG Cheng-yuan. Simulation of The Stability of a-IGZO TFT-OLED Pixel Circuits[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(9): 1240-1244 |
| |
| Authors: | JIA Tian-ying ZHAN Run-ze DONG Cheng-yuan |
| |
| Affiliation: | JIA Tian-ying;ZHAN Run-ze;DONG Cheng-yuan;Department of Electronic Engineering,School of Electronic Information and Electric Engineering,Shanghai Jiaotong University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | a-IGZO AMOLED TFT pixel circuit |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
