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| GaN非线性光学效应研究进展 | |
| 作者姓名： | 陈平 王启明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083 |
| 摘 要： | 本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。 |
| 关 键 词： | 非线性光学材料 GaN 非线性光学效应 全光波长转换 |
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