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| β-Ga_2O_3体单晶X射线光电子能谱分析 | |
| 作者姓名： | 程红娟 张胜男 练小正 金雷 徐永宽 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51702297) |
| 摘 要： | 通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga_2O_3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga_2O_3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga_2O_3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga_2O_3体单晶特征峰峰值。同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律。 |
| 关 键 词： | β-Ga2O3晶体 导模法 X射线光电子能谱分析 特征峰 |
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