| 硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响 |
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| 引用本文： | 李健,朱洁. 硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响[J]. 物理学报, 2007, 56(1) |
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| 作者姓名： | 李健 朱洁 |
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| 基金项目： | 北京科技大学"422高层次创新人才工程"项目 |
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| 摘 要： | 以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.
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| 关 键 词： | Cu-In预置膜 共溅射 硒化 CIS膜 |
Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CulnSe2 thin films |
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| Li Jian,Zhu Jie. Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CulnSe2 thin films[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(1) |
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| Authors: | Li Jian Zhu Jie |
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