| CsI(Tl)闪烁晶体研究进展 |
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| 引用本文： | 郭亚军,杨春晖. CsI(Tl)闪烁晶体研究进展[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 77-80 |
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| 作者姓名： | 郭亚军 杨春晖 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工程大学化学工程系,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 黑龙江省青年科学基金资助(No.Q00C024) |
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| 摘 要： | CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.
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| 关 键 词： | 闪烁晶体 探测器 CsI(Tl) 晶体生长, |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)01-0077-03 |
Research Progress of CsI(Tl) Scintillation Crystal |
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| GUO Ya-jun,YANG Chun-hui. Research Progress of CsI(Tl) Scintillation Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2004, 33(1): 77-80 |
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| Authors: | GUO Ya-jun YANG Chun-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | scintillation crystal detector CsI(Tl) crystal growth |
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