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| 组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响 | |
| 作者姓名： | 单含 李梅 |
| 作者单位： | 1.长春理工大学, 吉林 长春 130022 |
| 摘 要： | 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6~2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22meV。 |
| 关 键 词： | GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 X射线双晶衍射 发光性质 |
| 收稿时间： | 2011-10-21 |
| 修稿时间： | 2011-12-01 |
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