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短脉冲光在光伏光折变晶体中写入和擦除光折变光栅理论研究
作者姓名:杨冰  阎晓娜  路灿云
作者单位:1. 聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城,252059
2. 上海大学,理学院,物理系,上海,200444
基金项目:国家自然科学基金60377017、60571062;上海市重点学科基金T0104;聊城大学科研基金X061017。;国家自然科学基金资助
摘    要:利用GCValley的准连续光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脉冲激光(纳秒ns量级)在光伏光折变材料LiNbO3晶体中写入和擦除光折变光栅的过程,给出了空间电荷场随时间变化的表达式.理论研究表明,空间电荷场的形成和擦除与两个时间参量有关,在考虑或者不考虑光生伏打效应两种情况下,这两个参量随擦除光强的变化有基本相同的变化规律,光栅的写入和擦除有相同的结果.同样,擦除一个光栅所需的光能量在两种情况下也有相同的结果.因此,在短脉冲光入射光折变晶体材料情况下,考虑光生伏打效应与不考虑光伏效应,对短脉冲光在光折变LiNbO3晶体中写入和擦除光栅基本没有影响.

关 键 词:非线性光学  光折变效应  光伏效应  光栅  准连续光近似  空间电荷场
收稿时间:2009-01-14
修稿时间:2009-05-07
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