| 硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究 |
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| 引用本文： | 刘波,王豪. 硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(2): 147-151 |
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| 作者姓名： | 刘波 王豪 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 本文采用物理气相沉积(PVD)法在不同预处理的Si(100)衬底上沉积了C60膜,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性.结果表明,C60膜的生长特性不仅与C60分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关,而且还受衬底表面先前淀积的C60膜的有序性影响;H-Si(100)面上生长的C60膜与普通抛光Si(100)面上的相比更具有*2111*3取向.
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| 关 键 词： | 物理气相淀积 C60膜 原子力显微镜 X射线衍射, |
| 修稿时间： | 1999-12-26 |
Study on the Growth and the Structure Characteristics of C60 Film on Si Substrate |
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| LIU Bo,WANG Hao. Study on the Growth and the Structure Characteristics of C60 Film on Si Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(2): 147-151 |
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| Authors: | LIU Bo WANG Hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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