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| Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究 | |
| 作者姓名： | 刘林杰 岳远征 张进城 马晓华 董作典 郝跃 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号： 60736033, 60676048)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引
关键词：
原子层淀积
AlGaN/GaN
MOS-HEMT器件
温度特性 |
| 关 键 词： | 原子层淀积 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 温度特性 |
| 收稿时间： | 2008-05-19 |