| 用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP |
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| 引用本文： | 黄龙.用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体InP[J].新疆大学学报(理工版),2002,19(1):31-33. |
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| 作者姓名： | 黄龙 |
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| 作者单位： | 新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830008 |
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| 摘 要： | 采用正电子湮没寿命谱方法 ,对 1 .6× 1 0 1 6 cm- 2注量的 85 Me V1 9F离子辐照 P型 In P单晶的微观缺陷进行了研究 ,在 3 0 0～ 1 0 2 3 K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化 .实验表明 :辐射在 In P中产生单空位缺陷 ,在退火过程中单空位相互聚合形成双空位 .单空位和双空位分别在 5 73 K和 72 3 K温度完全被退火
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| 关 键 词： | InP 重离子辐照 正电子湮没寿命谱方法 退火效应 半导体材料 磷化铟 辐照损伤 缺陷 |
| 文章编号： | 1000-2839(2002)01-0031-03 |
| 修稿时间： | 2000年3月26日 |
Positron Annihilation Study of InP Irradiated by High Energy Heavy Ion |
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| HUANG Long.Positron Annihilation Study of InP Irradiated by High Energy Heavy Ion[J].Journal of Xinjiang University(Science & Engineering),2002,19(1):31-33. |
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| Authors: | HUANG Long |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP heavy ion irradiation positron annihilation annealing effect |
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