| 用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱 |
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| 引用本文： | 王少阶,陈志权,王柱.用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱[J].武汉大学学报(理学版),2000,46(1):67-72. |
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| 作者姓名： | 王少阶 陈志权 王柱 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理学系,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69576020) |
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| 摘 要： | 简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展．包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等，研究表明．在原生半导体材料中存在各种缺陷．经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子、使载流子发生饱和．
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| 关 键 词： | 正电子湮没 半导体 缺陷 |
| 文章编号： | 0253-9888(2000)0l-0067-06 |
| 修稿时间： | 1999-12-08 |
Positon Annihilation Study of Defects in Ⅲ-V Compound Semiconductors |
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| WANG Shao-jie,CHEN Zhi-quan,WANG Zhu.Positon Annihilation Study of Defects in Ⅲ-V Compound Semiconductors[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2000,46(1):67-72. |
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| Authors: | WANG Shao-jie CHEN Zhi-quan WANG Zhu |
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| Institution: | WANG Shao-jie ,CHEN Zhi-quan ,WANG
Zhu ;
(Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072,China) |
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| Abstract: | |
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