| 掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响 |
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| 引用本文： | 王国强,刘红日.掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响[J].武汉大学学报(理学版),2005,51(3):299-302. |
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| 作者姓名： | 王国强 刘红日 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,物理学系,湖北,武汉,430074;郧阳师范高等专科学校,物理学系,湖北,丹江口,442700
2. 华中科技大学,物理学系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(2003BA310A28)，湖北省教育厅科学技术研究项目(D200560005) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了Pb(Zrx，Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zr，Ti1-x)O3(PC—ZT)铁电薄膜，实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响．不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05uC／cm^2，矫顽场Ec=26．35kV／cm，而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度，当掺杂钴达到12%时，Pr=36．26uC／cm^2，矫顽场减小．同时，掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流。
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 锆钛酸铅 电性能 溶胶-凝胶法 |
| 文章编号： | 1671-8836(2005)03-0299-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月28 |
The Electrical Properties of Cobalt-Modified Lead Zirconate Titanate Ferroelectric Thin Films |
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| WANG Guo-qiang,LIU Hong-ri.The Electrical Properties of Cobalt-Modified Lead Zirconate Titanate Ferroelectric Thin Films[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2005,51(3):299-302. |
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| Authors: | WANG Guo-qiang LIU Hong-ri |
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| Institution: | WANG Guo-qiang~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferroelectric thin films cobalt-doped lead zirconate titanate electric properties Sol-Gel[HJ] |
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