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生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响
引用本文:潘华清,周耐根,周浪.生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响[J].南昌大学学报(理科版),2007,31(5):448-451.
作者姓名:潘华清  周耐根  周浪
作者单位:南昌大学,材料科学与工程学院,江西,南昌,330031
摘    要:用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响,采用的原子间相互作用势是嵌入原子法(EAM)多体势.模拟再现了薄膜中位错形成过程,结果分析表明:较高的温度和表面增原子团存在对薄膜中失配位错形成都有促进或诱发作用;模拟中观察到两种不同的位错形核过程:一种是经历多余半原子面挤出过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的扩展位错,之后才得到全位错,这两个位错的伯格斯矢量都是与失配方向平行的刃型位错.

关 键 词:外延  薄膜  表面增原子  失配位错  分子动力学  生长温度  表面  原子团  外延薄膜  失配位错  影响  Thin  Film  Formation  Misfit  Dislocation  Effect  Surface  Temperature  刃型位错  方向  矢量  扩展位错  层错  挤出过程  形核过程  诱发作用
文章编号:1006-0464(2007)05-0448-04
收稿时间:2007-03-30
修稿时间:2007年3月30日

Growth Temperature and Surface Adatom to Effect of Misfit Dislocation Formation in Epitaxial Thin Film
PAN Hua-qing,ZHOU Nai-gen,ZHOU Lang.Growth Temperature and Surface Adatom to Effect of Misfit Dislocation Formation in Epitaxial Thin Film[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2007,31(5):448-451.
Authors:PAN Hua-qing  ZHOU Nai-gen  ZHOU Lang
Abstract:
Keywords:epitaxy  thin film  facial adatom  misfit dislocation  molecular dynamics
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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