| 利用GGA+U法研究Cu和X(X=Cl,S和O)掺杂纤锌矿GaN电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 马磊,王晓东,刘纪博,刘丽芝,张丽丽,雷博程,赵旭才,黄以能.利用GGA+U法研究Cu和X(X=Cl,S和O)掺杂纤锌矿GaN电子结构和光学性质[J].分子科学学报,2023(2):179-188. |
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| 作者姓名： | 马磊 王晓东 刘纪博 刘丽芝 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能 |
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| 作者单位： | 1. 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室;2. 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 新疆维吾尔自治区高校科研计划资助项目(XJEDU2021Y044)~~； |
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| 摘 要： | 掺杂是改进半导体禁带宽度的常用手段，而单掺杂与共掺杂对提高体系光催化性能的程度各不相同，为了更清楚的了解哪种方法对光催化性能的影响更大，因此本文利用GGA+U超软赝势法对本征GaN、Cu单掺及Cu-X(X=Cl, S和O)共掺GaN体系的电子结构及光学性质进行了研究.结果表明：共掺体系更加稳定，且共掺体系中Ga—N键的共价性更强，说明杂质数量越多对体系的晶格畸变影响越大；杂质的引入使体系产生了杂质能级，从而减小了体系的禁带宽度，共掺体系中还出现了空穴富余的现象，这有利于电子-空穴对的分离，进而提高体系的光催化性能；与单掺相比，共掺体系的吸收光谱红移幅度更大，由此可以推测出共掺对改善体系光催化性能的效果更显著.
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| 关 键 词： | GGA+U GaN 电子结构 光学性质 |
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