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SnO2掺杂对TiO2/Si纳米复合材料性能的影响
引用本文:陈顺玉,李旦振,付贤智,刘平.SnO2掺杂对TiO2/Si纳米复合材料性能的影响[J].分子科学学报,2007,23(1):18-21.
作者姓名:陈顺玉  李旦振  付贤智  刘平
作者单位:1. 福建师范大学化学与材料学院,福建,福州,350007
2. 福州大学光催化研究所,福建,福州,350002
基金项目:国家自然科学基金 , 福建省自然科学基金 , 福建省教育厅科研项目
摘    要:采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合材料的高温稳定性增强.另外,SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响.当SnO2掺杂量约为20%,煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强.

关 键 词:溶胶-凝胶法  TiO2-SnO2/Si  煅烧温度  光电效应
文章编号:24081593
修稿时间:04 27 2006 12:00AM

The influence of SnO2 adulteration on the character of TiO2/Si composite nanomaterial
CHEN Shun-yu,LI Dan-zhen,FU Xian-zhi,LIU Ping.The influence of SnO2 adulteration on the character of TiO2/Si composite nanomaterial[J].Journal of Molecular Science,2007,23(1):18-21.
Authors:CHEN Shun-yu  LI Dan-zhen  FU Xian-zhi  LIU Ping
Institution:1. College of Chemistry and Materials Science,Fujian Normal University,Fuzhou 350007,China;2. Research Institute of Photocatalysis, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China
Abstract:
Keywords:sol-gel method  TiO_2-SnO_2/Si  calcining temperature  photoelectric effect
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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