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CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质
引用本文:安利民,曾庆辉,赵家龙,宋维斯,苏文辉.CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质[J].高等学校化学学报,2009,30(9):1789-1792.
作者姓名:安利民  曾庆辉  赵家龙  宋维斯  苏文辉
作者单位:1. 哈尔滨工业大学物理系,凝聚态科学与技术研究中心,哈尔滨,150001;黑龙江大学物理科学与技术学院,哈尔滨,150080
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033
3. 哈尔滨工业大学物理系,凝聚态科学与技术研究中心,哈尔滨,150001
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10674034,60478015,60771051,60601014,20603035);;国家“八六三”计划(批准号:2006AA03Z335);;黑龙江省教育厅项目(批准号:11533047)资助
摘    要:制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点, 利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术, 分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律. 发现了不同于CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象. 根据能带的位置关系, 随着CdS厚度的增加, CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构. 对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点, 不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合, 还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合, 发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加. 当壳层过厚时, 壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高.

关 键 词:碲化镉  碲化镉/硫化镉  量子点  荧光寿命
收稿时间:2008-12-08

Structure Transition and Luminescence Properties of CdTe/CdS Quantum Dots
AN Li-Min,ZENG Qing-Hui,ZHAO Jia-Long,SONG Wei-Si,SU Wen-Hui.Structure Transition and Luminescence Properties of CdTe/CdS Quantum Dots[J].Chemical Research In Chinese Universities,2009,30(9):1789-1792.
Authors:AN Li-Min  ZENG Qing-Hui  ZHAO Jia-Long  SONG Wei-Si  SU Wen-Hui
Institution:1.Center for the Condensed Matter Science and Technology;Harbin Institute of Technology;Harbin 150001;China;2.Physics Department of Science and Technology;Heilongjiang University;Harbin 150080;3.Key Laboratory of Excited State Processes;Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics;Chinese Academy of Sciences;Changchun 130033;China
Abstract:Water-soluble CdTe/CdS core-shell quantum dots(QDs)with the different shell thickness capped with 3-mercaptopropionic acid were synthesized following the synthetic method of successive ion layer adsorption and reaction.UV-Vis absorption spectroscopy,photoluminescence(PL)spectroscopy,transmission electron microscopy(TEM)and time-resolved luminescence were employed to analyze optical characters of QDs.The CdTe/CdS QDs exhibited a significant red shift of emission peak,FWHM increasing and PL lifetime lengtheni...
Keywords:CdTe  CdTe/CdS  Quantum dot  Photoluminescence lifetime  
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