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| InAs量子点光致发光效率的研究 | |
| 引用本文： | 杨景海,宫杰,刘伟,范厚刚,杨丽丽,赵庆祥.InAs量子点光致发光效率的研究[J].高等学校化学学报,2004,25(12):2349-2352. |
| 作者姓名： | 杨景海 宫杰 刘伟 范厚刚 杨丽丽 赵庆祥 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学材料科学与工程学院,长春,130023;吉林师范大学凝聚态物理研究所,四平,136000 2. 长春大学应用理学院,长春,130022;吉林师范大学凝聚态物理研究所,四平,136000 3. 吉林大学材料科学与工程学院,长春,130023 4. 吉林师范大学凝聚态物理研究所,四平,136000 5. 查尔摩斯技术大学光电物理所,瑞典哥德堡S-412,96 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划项目 (批准号 :2 0 0 2 0 615 )资助 |
| 摘 要： | 利用分子束外延技术制得InAs量子点样品,采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究.发现在InAs层和GaAs覆盖层之间插入隧道阻挡层,当激发功率密度为60W/cm2时,InAs量子点发射强度的增加量超过一个数量级.这种光复合效率的增强是由于浸润层中的非辐射跃迁受到了抑制所致. |
| 关 键 词： | InAs 量子点 光致发光效率 |
| 文章编号： | 0251-0790(2004)12-2349-04 |
| 收稿时间： | 2003-11-12 |
Photoluminescence Efficiency from InAs Quantum Dots |
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| YANG Jing-Hai ,GONG Jie ,LIU Wei ,FAN Hou-Gang ,YANG Li-Li ,ZHAO Qing-Xiang.Photoluminescence Efficiency from InAs Quantum Dots[J].Chemical Research In Chinese Universities,2004,25(12):2349-2352. | |
| Authors: | YANG Jing-Hai GONG Jie LIU Wei FAN Hou-Gang YANG Li-Li ZHAO Qing-Xiang |
| Institution: | YANG Jing-Hai 1,2*,GONG Jie 3,2,LIU Wei 1,FAN Hou-Gang 2,YANG Li-Li 2,ZHAO Qing-Xiang 4 |
| Abstract: | InAs quantum dots(QDs) were investigated by using optical spectroscopy, in order to understand the experimental observation of strong enhancement of their photoluminescence efficiency. When a tunneling barrier is introduced between the InAs layer and the GaAs cap layer, the intensity of the InAs QD emission increases by more than an order of magnitude at the excitation density of 60 W/cm 2. The enhancement of the optical recombination efficiency is due to the suppression of the nonradiative transitions in the wetting layer. The strong enhancement of the InAs emission can lead to an increase in the optical gain of the InAs laser structure. |
| Keywords: | InAs Quantum dots Photoluminescence efficiency |
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