| CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理 |
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| 引用本文： | 庄米雪,魏爱香,刘俊,颜志强,招瑜.CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理[J].高等学校化学学报,2014(11):2310-2316. |
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| 作者姓名： | 庄米雪 魏爱香 刘俊 颜志强 招瑜 |
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| 作者单位： | 1. 广东工业大学材料与能源学院; 广东省功能软凝聚态物质重点实验室，广州510006
2. 广东工业大学材料与能源学院; 广东省功能软凝聚态物质重点实验室，广州510006; 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金，广东省教育厅科技创新项目 |
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| 摘 要： | 采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)衬底上合成CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、能量色散谱(EDS)、紫外-可见(UV-Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进行分析.结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的黄铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜.CIS薄膜中Cu,In,S的原子比为1.1∶1∶2.09,在紫外-可见和近红外波段具有良好的光吸收特性,禁带宽度约1.51 eV.结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析,讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理.
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| 关 键 词： | 溶剂热合成技术 CuInS2 纳米纸阵列薄膜 生长机理 |
Solvothermal Preparation and Growth Mechanism of CuInS2 Thin Films of Nanosheet Array |
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| ZHUANG Mixue,WEI Aixiang,LIU Jun,YAN Zhiqiang,ZHAO Yu.Solvothermal Preparation and Growth Mechanism of CuInS2 Thin Films of Nanosheet Array[J].Chemical Research In Chinese Universities,2014(11):2310-2316. |
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| Authors: | ZHUANG Mixue WEI Aixiang LIU Jun YAN Zhiqiang ZHAO Yu |
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| Institution: | ZHUANG Mixue;WEI Aixiang;LIU Jun;YAN Zhiqiang;ZHAO Yu;School of Material and Energy,Guangdong University of Technology;Guangdong Provincial Key Laboratory of Functional Soft Condensed Matter,Guangdong University of Technology;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Solvothermal synthesis CuInS2 Nanosheet array Growth mechanism |
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