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共轭稠环中杂原子对电子输运行为的影响
引用本文:程娜,贺园园,赵健伟.共轭稠环中杂原子对电子输运行为的影响[J].高等学校化学学报,2018(2).
作者姓名:程娜  贺园园  赵健伟
作者单位:嘉兴学院材料与纺织工程学院中澳先进材料与制造研究院;
摘    要:以杂原子取代的共轭稠环分子并四噻吩(Th4)、并四呋喃(Ox4)和并四吡咯(Py4)]为研究模型,利用密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法,研究了杂原子取代和分子端基导电连接方式对电子输运行为的影响.结果表明,并四聚体中电子输运行为主要与电子传输路径和量子干涉效应有关.端基连接方式决定了分子中电子的主要传输路径.所考察的模型中存在2条电子传输通道:(1)单双键连接的共轭碳链;(2)由杂原子参与,同相邻碳原子构成的电子传输通道.杂原子的引入构筑了额外的电子传输通道,增强了分子的导电能力.由于并四聚体α-位连接的T-type体系中存在有效电子传递路径,杂原子仅起到修饰作用.而β-位连接的C-type体系中缺乏有效电子传输路径,但杂原子通过局域的量子干涉效应对电子传递效率产生显著影响.

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