非晶态硅薄膜中总氢和热释放氢-温度谱的测定新方法

一、前言用作太阳能光电转换的非晶态硅薄膜半导体材料必须是含有适量氢的低缺陷态密度的材料。材料的性能,如电学性能、光学性能、稳定性等都与其中的氢有关。在不同工艺条件下制备的材料,不但含氢量可能不同,而且氢的存在状态也可能不同。因此,在材料的制备和性能研究中很希望了解氢的含量及其存在状态。