| 镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响 |
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| 引用本文： | 葛秀涛,倪受春.镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响[J].化学物理学报(中文版),2002,15(2). |
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| 作者姓名： | 葛秀涛 倪受春 |
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| 作者单位： | 葛秀涛(滁州师范专科学校,化学系,滁州,239012);倪受春(滁州师范专科学校,物理系,滁州,239012)
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用共沉淀法制备了Mg2+掺杂的In2O3纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:MgO和In2O3间可形成有限固溶体In2-xMgxO3(0≤x≤0.40);MgIn×电离的空穴对材料导带电子的湮灭,使掺镁纳米粉的电导变得很小;n(Mg2+):n(In3+)=1:2共沉淀物于900℃下热处理4 h,用所得的纳米粉制作的传感器在320～370℃下,对45μmol/L C2H5OH的灵敏度达102.5,为相同浓度干扰气体Petrol的12倍多.
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| 关 键 词： | 电导 酒敏传感器 |
Effect of MgO Doping on the Conductance and Gas-sensing Properties of In2 O3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg2+ In2-xMgxO3 |
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