| Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质 |
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| 引用本文： | 邢海英,范广涵,周天明,李述体,丁少锋,孙慧卿,董海平.Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质[J].物理化学学报,2008,24(8). |
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| 作者姓名： | 邢海英 范广涵 周天明 李述体 丁少锋 孙慧卿 董海平 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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广东省自然科学基金
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广东省科技攻关计划
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广东省广州市科技攻关项目
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnN)晶体的电子结构及光学性质,详细讨论掺杂后电子结构的变化.计算表明,Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料.另结合实验结果分析掺杂后体系的光学性质,发现吸收谱在1.3 eV处出现吸收峰,吸收系数随Mn2+浓度增加而增大.分析表明,该峰是源于Mn2+离子e态与t2态间的带内跃迁.
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| 关 键 词： | Mn掺杂GaN 第一性原理 电子结构 光学性质 |
Electronic Structure and Optical Properties of GaN by Mn-Doping |
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| XING Hai-Ying,FAN Guang-Han,ZHOU Tian-Ming,LI Shu-Ti,Ding Shao-Feng,SUN Hui-Qing,Dong Hai-Ping.Electronic Structure and Optical Properties of GaN by Mn-Doping[J].Acta Physico-Chimica Sinica,2008,24(8). |
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| Authors: | XING Hai-Ying FAN Guang-Han ZHOU Tian-Ming LI Shu-Ti Ding Shao-Feng SUN Hui-Qing Dong Hai-Ping |
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