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不同SnO2晶体结构的力学性能及电子结构
引用本文:杜晔平,陈敬超,冯晶.不同SnO2晶体结构的力学性能及电子结构[J].物理化学学报,2009,25(2).
作者姓名:杜晔平  陈敬超  冯晶
作者单位:昆明理工大学,稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明,650093
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973计划),国家自然科学基金,昆明理工大学创新基金 
摘    要:采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,对高压相变产生五种不同 SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算.计算结果表明,Pnam型SnO2的形成相对困难,体模量较大,Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显.不同晶体结构的带隙存在差异,导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域,局域性差.五种SnO2晶体结构的价带部分约在-10-0 eV和-20--15 eV处,主要贡献来自于O2p、2s轨道.光学性质计算表明,Pnam结构对紫外波段光的吸收最明显,同时给出电子轨道跃迁规律.

关 键 词:氧化锡  压强  第一性原理  光学性质

Mechanical Properties and Electronic Structures of Various SnO2 Crystal Structures
DU Ye-Ping,CHEN Jing-Chao,FENG Jing.Mechanical Properties and Electronic Structures of Various SnO2 Crystal Structures[J].Acta Physico-Chimica Sinica,2009,25(2).
Authors:DU Ye-Ping  CHEN Jing-Chao  FENG Jing
Abstract:
Keywords:
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