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左旋多巴在单层碳纳米管修饰电极上的电化学行为
引用本文:王亮,吕元琦,袁倬斌.左旋多巴在单层碳纳米管修饰电极上的电化学行为[J].分析试验室,2004,23(6):13-15.
作者姓名:王亮  吕元琦  袁倬斌
作者单位:中国科学院研究生院应用化学研究所,北京,100039;中国科学技术大学研究生院应用化学研究所,北京,100039
基金项目:国家自然科学基金(29875027,20175025),电分析化学国家重点实验室基金,"十五"科技攻关重大项目(2001BA210A04中的第七课题)资助项目
摘    要:单层碳纳米管修饰电极对左旋多巴的电化学氧化还原具有很高的催化活性。在pH4.6的0.1mol/LHAc NaAc缓冲溶液中,可得到一对峰形很好的氧化还原峰。电极反应受扩散控制,反应过程中电子的得失伴随着等量的质子参与。氧化峰电流与左旋多巴浓度在2.1×10-4~5.0×10-6mol/L范围内成线性关系,检出限为2.0×10-6mol/L。

关 键 词:单层碳纳米管  修饰电极  左旋多巴
文章编号:1000-0720(2004)06-0013-03

Electrochemical behavior of L-3,4-dihydroxyphenylalanine at the SWNT-modified electrode
Abstract:
Keywords:Single-wall carbon nanotube  Modified electrode  L-3  4-dihydroxyphenylalanine
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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