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| 硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中要溶性硅 | |
| 引用本文： | 陈灵因,赵广超.硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中要溶性硅[J].分析试验室,1995,14(3):21-25. |
| 作者姓名： | 陈灵因 赵广超 |
| 摘 要： | 本报导了以玻碳电极为基体的１∶１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修，铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ９ＮＨ４）６Ｍｏ７Ｏ２４－６６．８×１０＾－２ｍｏｌ／ＬＮａ３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／Ｌ ＮＨＯ３体系中，硅浓度在８．３×１０＾－７～１．７×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定 |
| 关 键 词： | 硅钼杂多酸 硅 黑液 废水 伏安法 修饰电极 |
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