| 亚硝酸根在纳米氧化锆-CTAB复合物膜修饰电极上的电化学行为及测定 |
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| 引用本文： | 张克营,俆基贵,张娜,王红艳,王聪,陈志兵.亚硝酸根在纳米氧化锆-CTAB复合物膜修饰电极上的电化学行为及测定[J].分析试验室,2013(3):56-58. |
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| 作者姓名： | 张克营 俆基贵 张娜 王红艳 王聪 陈志兵 |
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| 作者单位： | 安徽省宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室培育基地化学与生命科学学院;安徽省宿州学院体育学院 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金项目(KJ2012Z399),安徽省教育厅自然科学基金重点项目(KJ2012Z399,KJ2011A260,KJ2012A266,KJ2012A267);安徽省自然科学基金青年项目(1208085QB33);宿州学院科研平台开放课题(2012YKF04)资助 |
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| 摘 要： | 制备了纳米ZrO2,采用XRD和原子力显微镜技术加以表征。构建了十六烷基三甲基溴化铵-纳米ZrO2修饰电极。用循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了亚硝酸根(NO2-)在该修饰上的电化学行为,结果表明,该修饰电极对NO2-的氧化具有良好的电催化能力,示差脉冲伏安信号与其浓度在6×10-7～1.6×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.3×10-7mol/L(S/N=3)。此外,方法已用于NO2-样品的测定。
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| 关 键 词： | 亚硝酸根 纳米氧化锆 十六烷基三甲基溴化铵 修饰电极 |
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