ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素 |
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引用本文: | 孙东亚,何丽雯,谢安.ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素[J].分析试验室,2014(7):855-859. |
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作者姓名: | 孙东亚 何丽雯 谢安 |
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作者单位: | 厦门理工学院材料科学与工程学院;华侨大学材料科学与工程学院; |
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摘 要: | 用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素。实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应。在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5~50 ng/mL,回收率在93%~105%,相对标准偏差RSD≤9.8%(n=11)。测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合。
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关 键 词: | 电感耦合等离子体原子发射光谱仪 太阳能级硅 洁净室 杂质元素 |
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