| 银辅助化学刻蚀半导体材料 |
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| 引用本文： | 耿学文,贺春林,徐仕翀,李俊刚,朱丽娟,赵连城.银辅助化学刻蚀半导体材料[J].化学进展,2012(10):1955-1965. |
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| 作者姓名： | 耿学文 贺春林 徐仕翀 李俊刚 朱丽娟 赵连城 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院;沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(No.51171118);沈阳市科学技术基金项目(No.F10-205-1-60)资助 |
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| 摘 要： | 微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。
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| 关 键 词： | 银 化学刻蚀 半导体 |
Silver-Assisted Chemical Etching of Semiconductor Materials |
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| Geng Xuewen,He Chunlin,Xu Shichong,Li Jungang,Zhu Lijuan,Zhao Liancheng.Silver-Assisted Chemical Etching of Semiconductor Materials[J].Progress in Chemistry,2012(10):1955-1965. |
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| Authors: | Geng Xuewen He Chunlin Xu Shichong Li Jungang Zhu Lijuan Zhao Liancheng |
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| Institution: | 1(1.School of Materials Science and Engineering,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China; 2.Liaoning Provincial Key Laboratory of Advanced Materials,Shenyang University,Shenyang 110044,China) |
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