| 化学气相沉积法制备氮化钛 |
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| 引用本文： | 王淑涛,张祖德.化学气相沉积法制备氮化钛[J].化学进展,2003,15(5):374-378. |
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| 作者姓名： | 王淑涛 张祖德 |
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| 作者单位： | （中国科学技术大学化学系 合肥 230026） |
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| 摘 要： | 本文以氮化钛的CVD制备为例,说明了源物质的选择对CVD过程的影响.在此基础上,综述了化学气相沉积技术在材料制备领域的最新进展.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 源物质 氮化钛 制备 |
| 文章编号： | 1005-281X(2003)05-0374-05 |
| 收稿时间： | 2002-06-01 |
| 修稿时间： | 2002年6月1日 |
Preparation of Titanium Nitride by Chemical Vapor Deposition |
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| Wang Shutao,Zhang Zude.Preparation of Titanium Nitride by Chemical Vapor Deposition[J].Progress in Chemistry,2003,15(5):374-378. |
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| Authors: | Wang Shutao Zhang Zude |
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| Institution: | (Department of Chemistry, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) |
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| Abstract: | Based on the preparation of titanium nitride, the effects for the choice of the precursor on the CVD systems have been illustrated. The advances of chemical vapor deposition in the field of material preparation were reviewed. |
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| Keywords: | chemical vapor deposition precursor titanium nitride preparation |
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