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金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜
引用本文:许效红,侯云,王民,王弘,周爱秋.金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜[J].化学进展,2002,14(1):61.
作者姓名:许效红  侯云  王民  王弘  周爱秋
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 250100; 山东大学化学与环境科学学院 济南 250100
摘    要:对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。

关 键 词:金属β-二酮化合物  金属有机化学气相沉积  铁电薄膜
收稿时间:2000-12-01
修稿时间:2001-05-01

Metal β-Diketonates Used as Precursors for Ferroelectric Oxide Thin Films
Xu Xiaohong,Hou Yun,Wang Min,Wang Hong,Zhou Aiqiu.Metal β-Diketonates Used as Precursors for Ferroelectric Oxide Thin Films[J].Progress in Chemistry,2002,14(1):61.
Authors:Xu Xiaohong  Hou Yun  Wang Min  Wang Hong  Zhou Aiqiu
Institution:College of Chemistry and Environment Science, Shandong University, Jinan 250100, China; College of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China
Abstract:The preparation of volatile metalβ-diketonates used as precursors for deposition of the ferroelectric oxide thin films is reviewed. The structures and properties of them are presented and discussed. The use of them in metal organic vapor deposition of ferroelectric oxide thin films is also discussed.
Keywords:metal &beta  -diketonates  MOCVD  ferroelectric thin films
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