| 一维硅纳米材料的可控制备和机理 |
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| 引用本文： | 张晓丹,曹阳,贺军辉.一维硅纳米材料的可控制备和机理[J].化学进展,2008,20(7). |
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| 作者姓名： | 张晓丹 曹阳 贺军辉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院理化技术研究所,功能纳米材料实验室,北京,100190;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院理化技术研究所,功能纳米材料实验室,北京,100190 |
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| 基金项目： | 中国科学院重大科学研究计划项目 |
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| 摘 要： | 一维硅纳米材料具有不同于体硅材料的特殊光电性能,在光电子领域具有潜在的应用价值.通过"剪裁"一维硅纳米材料的尺寸、形貌和化学组分等,可以调控其物理化学性质.因此,探索并实现一维硅纳米材料的可控制备对于其实际应用至关重要.本文综述了一维硅纳米材料可控制备的最新进展,介绍了几种重要的制备方法及其生长机理,比较了不同方法在可控制备一维硅纳米材料中的优缺点,并展望了其未来发展方向.
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| 关 键 词： | 一维硅纳米材料 可控制备 生长机理 |
Controlled Preparation and Mechanism Study of One-Dimensional Silicon Nanomaterials |
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| Zhang Xiaodan,Cao Yang,He Junhui.Controlled Preparation and Mechanism Study of One-Dimensional Silicon Nanomaterials[J].Progress in Chemistry,2008,20(7). |
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| Authors: | Zhang Xiaodan Cao Yang He Junhui |
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