| 氮化硅粉中微量杂质金属的ICP-AES测定 |
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| 引用本文： | 陶连发.氮化硅粉中微量杂质金属的ICP-AES测定[J].分析测试学报,1990(2). |
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| 作者姓名： | 陶连发 |
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| 作者单位： | 杭州国家海洋局第二海洋研究所 |
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| 摘 要： | 本文论述了应用ICP-AES法测定氮化硅中微量杂质元素的分析技术,考察了样品处理及元素间相互干扰。采用板波模式超声雾化进样、去溶剂技术,ICP-AES法同时测定Si_3N_4中Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Mo、Sr、Ti、V和Zr十二种杂质元素。各元素相对标准偏差为2.5～9.8%,回收率为84～108%。
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| 关 键 词： | 氮化硅 微量杂质元素 感耦等离子体发射光谱 |
Determination of Impurities in Hot-Pressed Silicon Nitride by ICP-AES |
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| Tao Lianfa The Second Institute Of Oceanography,SOA,Hangzhou.Determination of Impurities in Hot-Pressed Silicon Nitride by ICP-AES[J].Journal of Instrumental Analysis,1990(2). |
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| Authors: | Tao Lianfa The Second Institute Of Oceanography SOA Hangzhou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ICP-AES Si_3N_4 trace impurities |
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