| 卤素掺杂聚甲基苯基硅烷的电子结构的理论研究 |
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| 引用本文： | 叶素玉,彭亮,宋柯晟,顾凤龙.卤素掺杂聚甲基苯基硅烷的电子结构的理论研究[J].化学学报,2013,71(2):136-143. |
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| 作者姓名： | 叶素玉 彭亮 宋柯晟 顾凤龙 |
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| 作者单位： | 华南师范大学环境理论化学省部共建教育部重点实验室 广州510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.21073067);广东省高校珠江学者(2011)资助~~ |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论(DFT)研究卤素(F2,Cl2,Br2,I2,ICl)掺杂聚甲基苯基硅烷(PMPSi)的电子结构.在BH&HLYP/6-31G*水平上优化PMPSi,交错构象为最稳定构象.在此构象上优化卤素掺杂PMPSi并比较结构变化,进一步探讨复合物的前线轨道能量、吸收光谱等性质.结果表明,最高占据轨道(HOMO)的能量几乎保持不变,而最低空轨道(LUMO)的能量降低,能隙按Cl2>F2>ICl>Br2>I2顺序减小.以致电子由HOMO-1→LUMO跃迁,使复合物在吸收光谱中发生红移,在可见光区有较强的吸收峰.自然键轨道(NBO)理论分析表明电荷从主链向卤素转移.所有复合物经基组叠加误差(BSSE)校正后的相互作用能为-0.61～-3.20 kcal/mol,且掺杂剂的极性越大,复合物的相互作用能越大.并讨论掺杂剂位置对复合物的能隙和相互作用能的影响.该研究为PMPSi的相关研究提供理论线索和依据.
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| 关 键 词： | 聚甲基苯基硅烷 掺杂效应 能隙 吸收光谱 电荷转移 |
Halogen Doping Effect on Electronic Structure of Poly(methylphenyl)silane:a Theoretical Study |
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| Institution: | Ye,Suyu Peng,Liang Song,Kesheng Gu,Fenglong*(Key Laboratory of Theoretical Chemistry of Environment,Ministry of Education,South China Normal University,Guangzhou 510006) |
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